کد خبر: ۲۳۷۰۹
|
۲۲ آذر ۱۴۰۰ | ۱۵:۱۰

برنامه اینتل برای سال ۲۰۲۵ به بعد| افزایش ۱۰ برابری تراکم و ۵۰ درصد ترانزیستور بیشتر

اینتل برای تسریع فعالیت‌های خود در پیروی از قانون مور از فناوری‌های جدید بسته‌بندی، ساخت ترانزیستور و دستاوردهای تازه در علم فیزیک رونمایی کرد که قرار است شتاب پیشرفت‌های فناوری این شرکت را در یک دهه آینده افزایش دهد. اینتل می‌خواهد تراکم فضای داخل تراشه‌های خود را بیش از ۱۰ برابر کند و شمار ترانزیستورها را ۳۰ تا ۵۰ درصد افزایش دهد.

به گزارش «نبض فناوری»، اینتل در رویداد IEDM 2021 از استراتژی جدیدی برای سال ۲۰۲۵ به بعد رونمایی کرد تا با سرعت بیشتری قانون مور را دنبال کند. گروه تحقیقات قطعات اینتل متعهد شده تا به نوآوری در سه حوزه کلیدی ادامه دهد: فناوری‌های اساسی مقیاس‌گذاری برای استفاده از ترانزیستورهای بیشتر، قابلیت‌های جدید در زمینه توان الکتریکی و حافظه در تراشه‌ها، و کاوش در مفاهیم جدید علم فیزیک.

برنامه اینتل برای سال ۲۰۲۵ به بعد| افزایش ۱۰ برابری تراکم و ۵۰ درصد ترانزیستور بیشتر

محققان اینتل راهکارهایی را برای طراحی، تولید و مونتاژ قطعات با تراکم داخلی ۱۰ برابری معرفی کرده‌اند. اینتل برای استفاده حداکثری از روش‌های پیشرفته بسته‌بندی تراشه‌ها به دنبال پیاده‌سازی استانداردهای صنعتی و سازوکارهای آزمایشی جدید خواهد بود تا دستیابی به یک اکوسیستم چیپلت هیبریدی را ممکن کند.

برنامه اینتل برای سال ۲۰۲۵ به بعد| افزایش ۱۰ برابری تراکم و ۵۰ درصد ترانزیستور بیشتر

این شرکت با استفاده از فناوری RibbonFET عصر FinFET را پشت سر می‌گذارد تا ترانزیستورها را به‌صورت پشته‌های چندگانه کار بگذارد و شمار آن‌ها را در هر میلی‌متر مربع افزایش دهد. اینتل همچنین با ورود به عصر انگستروم در پی استفاده از موادی به ضخامت چند اتم برای تولید ترانزیستورها خواهد بود تا بر محدودیت‌های فعلی دنیای سیلیکون‌ها غلبه کند.

این تراشه‌ساز آمریکایی قرار است روی ویفرهای ۳۰۰ میلی‌متری از اولین نمونه سوئیچ‌های مبتنی بر فناوری GaN در ترکیب با CMOS سیلیکونی استفاده کند. با این کار تامین برق با کمترین هدررفت و بیشترین سرعت برای CPU ممکن می‌شود و حجم و فضای قطعات مادربرد کاهش می‌یابد. دستاورد بعدی اینتل استفاده از مواد فِروالکتریک برای نسل بعدی حافظه‌های توکار DRAM است که سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات را در کارکردهای مختلف، از گیمینگ گرفته تا هوش مصنوعی، افزایش می‌دهد.

برنامه اینتل برای سال ۲۰۲۵ به بعد| افزایش ۱۰ برابری تراکم و ۵۰ درصد ترانزیستور بیشتر

اینتل همچنین در IEDM 2021 اولین نمونه آزمایشی از مدار منطقی MESO را در دمای اتاق به نمایش گذاشت. این شرکت نشان داد که تولید نوع جدید ترانزیستورها بر مبنای مواد مغناطیسی مقیاس نانو شدنی است. به‌علاوه، اینتل نمونه کاملی از فرآیند کیوبیت ۳۰۰ میلی‌متری را در زمینه رایانش کوانتومی نشان داد. این فناوری با فرآیند تولید CMOS سازگار است و مسیر آینده تحقیقات آن‌ها را مشخص می‌کند.

منبع/ دیجیاتو

ارسال نظرات
سهم لوکس‌ها از بازار و ارز موبایل جنجال واردات گوشی‌های بالای ۶۰۰ دلار
وبگردی