روشی برای سنتز نانوورق‌های Mxene چند لایه بدون نقص ارائه شد

به گزارش «نبض فناوری»، محققان مؤسسه علوم فیزیکی هیفی از آکادمی علوم چین راهبرد بهینه‌ای برای سنتز M۴C۳Tx (M = V, Nb, Ta) با تعداد لایه کم و بدون نقص ارائه داده‌اند. نتایج کار این گروه در نشریه Advanced Science منتشر شده است.

مواد Mxene به دلیل خاصیت فیزیکی و شیمیایی عالی، پتانسیل عظیمی برای کاربردهایی مانند ذخیره انرژی، تبدیل انرژی و محافظت از الکترومغناطیسی دارند.

با این حال، به دست آوردن یک پیش ساز فاز خالص MAX، اچ کامل برای چند لایه MxeneTX و الزامات دقیق برای کار، تولید Mxene M۴C۳Tx را دشوار کرده است. در این مطالعه دانشمندان نقشه راه سنتز نانوورق‌های چند لایه M۴C۳Tx را ارائه می‌دهند.

بررسی دقیق ساختارهای بدون نقص آنها، فاصله قابل توجه بین لایه‌ای (از ۱٫۷۰۲ تا ۱٫۹۵۵ نانومتر)، گروه‌های عاملی متنوع (OH ، -F ، -O) و حالت‌های ظرفیت مختلف (M۵+، M۴+، M۳+، M۲+، M۰) را تأیید می‌کند.

علاوه بر این، آنها یک فیلم ایستاده آزاد از جنس M۴C۳Tx ساختند که خصوصیات فیزیکوشیمیایی قابل توجهی مانند رسانایی بالا، پایداری بالا و آبدوستی را دارا بود.

هوانگ یانان از محققان این پروژه گفت: «کار ما دستورالعمل‌های مفصلی را برای سنتز سایر نانوورق‌های Mxene چند لایه بدون نقص را ارائه می‌دهد.»