تولید انبوه تراشه توسط سامسونگ

به گزارش «نبض فناوری»، اکنون سامسونگ و TSMC برای برتری در تجارت ساخت تراشه برای اشخاص ثالث مبارزه می کنند. TSMC در اکثر معیارها شماره یک است و لیست مشتریان آن شامل شرکت های فناوری برتر مانند اپل (مشتری شماره یک آن)، مدیاتک، انویدیا، کوالکام و دیگران است. اما طبق گفته ExtremeTech، سامسونگ به زودی با شروع تولید انبوه تراشه‌های ساخته شده با استفاده از process node 3 نانومتری خود، به زودی TSMC را شکست خواهد داد و TSMC تولید انبوه 3 نانومتری را در اواخر امسال آغاز خواهد کرد.

علاوه بر این، سامسونگ قصد دارد از ساختار ترانزیستوری جدید بر روی تراشه های 3 نانومتری خود به نام GAA یا gate-all-around استفاده کند. با این ساختار، جریان توسط گیت هایی که از چهار طرف با ترانزیستور تماس دارند، کنترل می شود. TSMC به استفاده از ساختار FinFET که از زمان آغاز به کار گره فرآیند 22 نانومتری وجود داشته است، ادامه خواهد داد. TSMC سرانجام FinFET را برای GAA حذف خواهد کرد که در سال 2026 عرضه تراشه های 2 نانومتری را آغاز کند.

این گزارش به نقل از یک خبرگزاری بزرگ کره ای است که می گوید انتظار می رود سامسونگ به زودی در مورد تولید تراشه های 3 نانومتری خود اعلامیه بزرگی ارائه کند. همچنین اشاره می‌کند که حرکت به سمت دروازه همه‌جانبه از FinFet، مساحت یک تراشه را تا 45 درصد کاهش می‌دهد تا به افزایش عملکرد 30 درصدی کمک کند و در عین حال مصرف انرژی را تا 50 درصد کاهش دهد. با این حال، یک مشکل بزرگ وجود دارد. طبق گزارش‌ها، سامسونگ بازدهی 10 تا 20 درصدی در 3 نانومتر داشت، به این معنی که اکثریت قریب به اتفاق تراشه‌های 3 نانومتری آن نمی‌توانستند کنترل کیفیت را پشت سر بگذارند.

در ماه فوریه، گزارشی حاکی از آن بود که بازدهی سامسونگ در تولید 4 نانومتری تنها 35 درصد بوده و منجر به از دست دادن بخشی از تجارت سامسونگ از طراح تراشه کوالکام شد. ظاهراً این دومی برخی از آن سفارشات را به TSMC منتقل کرده است. با این حال، اگر Samsung Foundry بخواهد شروع تولید با حجم بالا (HVM) را در گره فرآیند 3 نانومتری اعلام کند، می‌توان به این نتیجه رسید که Samsung Foundry بازده 3 نانومتری خود را بهبود بخشیده است.